Май 22

Некоторые источники уже начали строить смелые прогнозы о темпах экспансии памяти типа DDR-3, согласно которым в текущем году разница в цене между DDR-2 и DDR-3 сократится до 10%. Другие источники сообщают, что к 2012-2013 годам получит распространение память типа DDR-4.

Какие факторы, помимо соотношения цены и быстродействия, определяют темпы распространения памяти нового типа? Ответ на этот вопрос позволяет получить публикация на сайте PC Watch. Начнём с того, что память нового поколения обычно имеет более высокую площадь кристалла, а потому в производстве обходится дороже. Во-первых, память нового типа получает какие-то новые функциональные возможности, и это увеличивает площадь кристалла. Во-вторых, производители памяти обычно не рискуют начинать производство микросхем памяти нового поколения с использованием самого прогрессивного техпроцесса - велика опасность получить низкий уровень выхода годных микросхем. По этой причине производители “отступают на один техпроцесс в прошлое”, что вызывает увеличение площади кристалла. Важно также учитывать, что потребности в более “плотной” памяти непрерывно растут, и это провоцирует постоянное увеличение площади кристалла.

Когда DDR-3 выпускалась по 90 нм техпроцессу, её площадь кристалла была на 50% выше, чем у памяти типа DDR-2 (120 кв.мм против 80 кв.мм). По наблюдениям экспертов, для перехода памяти в разряд массовой площадь кристалла должна быть меньше 80 кв.мм. Всё, что крупнее, стоит дороже, а потому не может пользоваться высоким спросом. Чтобы память типа DDR-3 достигла идеального сочетания плотности и цены, она должна перейти на 57 нм техпроцесс, и тогда площадь кристалла удастся снизить до 80 кв.мм. Произойдёт это только в конце 2009 года.

Кстати, DDR-3 перестанет быть дороже DDR-2 как раз в четвёртом квартале 2009 года. В дальнейшем память DDR-2 начнёт вытесняться с рынка, она будет дороже аналогичных по объёму микросхем DDR-3. Память типа DDR-3 начнёт доминировать на рынке. К 2010 году DDR-3 перейдёт на 50 нм техпроцесс, а микросхемы достигнут плотности в 2 Гбита.

В 2011 году начнёт появляться память типа DDR-4, к 2012-2013 годам она сможет занять главенствующие позиции на рынке. Впрочем, это лишь предварительное название типа памяти, на этом месте может оказаться другой тип памяти.

По оценкам экспертов, каждый новый тип памяти удваивает показатели пропускной способности за 3-4 года. Выйти на лидирующие позиции новому типу памяти удаётся за 2 или 2,5 года. Таким образом, эпоха царствования DDR-3 должна начаться на рубеже 2009-2010 годов. У владельцев систем с памятью типа DDR-2 ещё есть время.